全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM開(kāi)發出内置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工(gōng)業設備和基站（冷卻風扇）的電(diàn)機驅動。

近年來，爲了支持工(gōng)業設備和基站的電(diàn)機所使用的24V輸入，MOSFET作爲用于驅動的器件，需要具備考慮到電(diàn)壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外(wài)，爲了進一(yī)步提高電(diàn)機的效率并減小(xiǎo)尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電(diàn)阻和高速開(kāi)關工(gōng)作的要求。

在這種背景下(xià)，ROHM繼2020年年底發布的新一(yī)代Pch MOSFET*2之後，此次又(yòu)開(kāi)發出在Nch中(zhōng)融入新微細工(gōng)藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過這種組合，使ROHM在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級别擁有了業界先進的Nch+Pch雙極MOSFET産品。此外(wài)，爲了滿足更廣泛的需求，ROHM還開(kāi)發出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，産品陣容已達12款。

本系列産品采用ROHM新工(gōng)藝，實現了業界超低的導通電(diàn)阻，±40V耐壓産品的導通電(diàn)阻比普通産品低61%（雙極MOSFET的Pch部分(fēn)比較），有助于進一(yī)步降低各種設備的功耗。此外(wài)，通過将兩枚器件集成到一(yī)個封裝中(zhōng)，有助于通過減少安裝面積從而實現設備的小(xiǎo)型化，還有助于減少器件選型（Nch和Pch的組合）的時間。

本系列産品已于2021年3月開(kāi)始暫以月産100萬個的規模投入量産。

今後，ROHM還會面向要求更高耐壓的工(gōng)業設備開(kāi)發100V和150V耐壓産品，以擴大(dà)本系列産品的陣容，通過降低各種應用的功耗和實現其小(xiǎo)型化來助力解決環境保護等社會問題。

＜新産品特點＞

1.實現業界超低導通電(diàn)阻

在ROHM此次開(kāi)發的業界先進的雙極MOSFET 中(zhōng)，采用了新工(gōng)藝的、±40V耐壓的産品與普通産品相比，Pch部分(fēn)的導通電(diàn)阻降低多達61％，Nch部分(fēn)的導通電(diàn)阻也降低達39％，有助于降低各種設備的功耗。

2.具備隻有雙極MOSFET才有的特點，有助于實現設備的小(xiǎo)型化和縮短設計周期

通過在一(yī)個封裝中(zhōng)内置兩枚器件，有助于設備的小(xiǎo)型化和減少器件選型的時間。在小(xiǎo)型化方面，如果将以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新産品（TSMT8），安裝面積可減少75%。

＜與預驅動器IC組合，可提供更出色的電(diàn)機驅動解決方案＞

通過将本産品與已具有豐碩實際應用業績的ROHM單相和三相無刷電(diàn)機用預驅動器IC相結合，可以進一(yī)步考慮電(diàn)機的小(xiǎo)型化、低功耗和靜音驅動。通過爲外(wài)圍電(diàn)路設計提供雙極MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支持，爲客戶提供滿足其需求且更出色的電(diàn)機驅動解決方案。

＜應用示例＞

• ■FA設備、機器人等工(gōng)業設備和基站用的風扇電(diàn)機
• ■大(dà)型消費(fèi)電(diàn)子設備用的風扇電(diàn)機

＜術語解說＞

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫）

金屬－氧化物(wù)－半導體(tǐ)場效應晶體(tǐ)管，是FET中(zhōng)常用的結構。 用作開(kāi)關元件。

*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過向栅極施加相對于源極爲負的電(diàn)壓而導通的MOSFET。
可用比低于輸入電(diàn)壓低的電(diàn)壓驅動，因此電(diàn)路結構較爲簡單。
Nch MOSFET：通過向栅極施加相對于源極爲正的電(diàn)壓而導通的MOSFET。
相比Pch MOSFET，漏源間的導通電(diàn)阻更小(xiǎo)，因此可減少常規損耗。

*3) 導通電(diàn)阻

使MOSFET啓動（ON）時漏極與源極之間的電(diàn)阻值。該值越小(xiǎo)，則運行時的損耗（電(diàn)力損耗）越少。