全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發出650V耐壓、内置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”，且均符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準“AEC-Q101”。該産品适用于以電(diàn)氣化車(chē)輛爲首的電(diàn)動汽車(chē)（xEV）中(zhōng)的車(chē)載充電(diàn)器和DC/DC轉換器、以及太陽能發電(diàn)用的功率調節器等處理大(dà)功率的汽車(chē)電(diàn)子設備和工(gōng)業設備。

近年來，在全球“創建無碳社會”和“碳中(zhōng)和”等減少環境負荷的努力中(zhōng)，電(diàn)動汽車(chē)（xEV）得以日益普及。爲了進一(yī)步提高系統的效率，對各種車(chē)載設備的逆變器和轉換器電(diàn)路中(zhōng)使用的功率半導體(tǐ)也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統的矽功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在經曆技術變革。

ROHM緻力于爲廣泛的應用提供有效的電(diàn)源解決方案，不僅專注于行業先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及産品開(kāi)發。此次，開(kāi)發了能夠爲普及中(zhōng)的車(chē)載、工(gōng)業設備提供更高性價比的Hybrid IGBT。

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反饋單元（續流二極管）中(zhōng)采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管（SiC SBD），成功大(dà)幅降低以往IGBT産品導通時的開(kāi)關損耗（以下(xià)稱“開(kāi)通損耗”*3）。在車(chē)載充電(diàn)器中(zhōng)采用本産品時，與以往IGBT産品相比，損耗可降低67％，與超級結MOSFET （SJ-MOSFET）相比，損耗可降低24％，有助于以更高的性價比進一(yī)步降低車(chē)載和工(gōng)業設備應用的功耗。

新産品已于2021年3月開(kāi)始出售樣品，預計将于2021年12月起暫以月産2萬個的規模投入量産。另外(wài)，在ROHM官網上還免費(fèi)提供評估和導入本系列産品所需的豐富設計數據，其中(zhōng)包括含有驅動電(diàn)路設計方法的應用指南(nán)和SPICE模型等，以支持快速引入市場。

今後，ROHM将繼續開(kāi)發滿足各種需求的低損耗功率元器件，同時，提供設計工(gōng)具以及各種解決方案，通過助力應用系統的節能和小(xiǎo)型化爲減輕環境負荷貢獻力量。

＜新産品特點＞

●損耗比以往IGBT産品低67％，爲普及中(zhōng)的車(chē)載電(diàn)子設備和工(gōng)業設備提供更高性價比

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反饋單元（續流二極管）中(zhōng)采用了ROHM的低損耗SiC SBD。與以往使用Si快速恢複二極管（Si-FRD）的IGBT産品相比，成功地大(dà)幅降低了開(kāi)通損耗，在車(chē)載充電(diàn)器應用中(zhōng)損耗比以往IGBT産品低67％。與通常損耗小(xiǎo)于IGBT的SJ-MOSFET相比，損耗也可降低24％。在轉換效率方面，新産品可以在更寬的工(gōng)作頻(pín)率範圍确保97％以上的高效率，并且在100kHz的工(gōng)作頻(pín)率下(xià)，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性價比進一(yī)步降低車(chē)載和工(gōng)業設備應用的功耗。

●符合AEC-Q101标準，可在惡劣環境下(xià)使用

新系列産品還符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準“AEC-Q101”，即使在車(chē)載和工(gōng)業設備等嚴苛環境下(xià)也可以安心使用。

＜Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”産品陣容＞

＜應用示例＞

• ・車(chē)載充電(diàn)器
• ・車(chē)載DC/DC轉換器
• ・太陽能逆變器（功率調節器）
• ・不間斷電(diàn)源裝置（UPS）