全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發出小(xiǎo)型高效的肖特基勢壘二極管（以下(xià)簡稱SBD※1）“RBR系列”共12款産品，“RBQ系列”共12款産品，這些産品非常适用于車(chē)載設備、工(gōng)業設備和消費(fèi)電(diàn)子設備等各種電(diàn)路的整流和保護。至此，這兩個系列的産品陣容中(zhōng)已達178款産品。

在各種應用産品中(zhōng)，通常使用二極管來實現電(diàn)路整流和保護。随着各種應用産品對更低功耗的要求，比其他二極管效率更高的SBD正越來越多地被采用。另一(yī)方面，如果爲了追求效率而降低VF，則存在此消彼長關系的IR将會升高，熱失控的風險會随之增加，因此在設計電(diàn)路的過程中(zhōng)，選擇SBD時需要很好地權衡VF和IR，這一(yī)點很重要。

在這種背景下(xià)，ROHM追求低VF特性和低IR特性之間的平衡，并進一(yī)步加強了SBD小(xiǎo)型化産品陣容，以車(chē)載市場爲中(zhōng)心創造了非常優異的業績。此次，ROHM針對已經頗具量産成果的RBR和RBQ系列，面向大(dà)電(diàn)流、高電(diàn)壓和小(xiǎo)型化，進一(yī)步擴大(dà)了産品陣容，從而可以在更廣泛的應用中(zhōng)實現整流和保護工(gōng)作。

通過采用新工(gōng)藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大(dà)提升，與ROHM以往産品相比，效率提高了25%。

不僅如此，RBR系列具有出色的低VF（正向電(diàn)壓）※2特性（該特性是提高效率的關鍵），并實現了低損耗。該系列産品非常适用于要求提高效率的應用，比如車(chē)載設備中(zhōng)的車(chē)載充電(diàn)器，以及消費(fèi)電(diàn)子設備中(zhōng)的筆記本電(diàn)腦等。此次又(yòu)新增了12款小(xiǎo)型封裝産品，還将有助于削減安裝面積（比以往産品少42%）。

而RBQ系列則具有出色的低IR（反向電(diàn)流）※3特性，可在高溫環境下(xià)穩定工(gōng)作，尤其是可降低SBD可能會發生(shēng)的熱失控※4風險。非常适用于需要在高溫環境中(zhōng)工(gōng)作的汽車(chē)動力系統和工(gōng)業設備的高電(diàn)壓電(diàn)源等應用。爲滿足更高耐壓的需求，此次又(yòu)新增了12款100V産品。此外(wài)，RBR系列和RBQ系列均符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準AEC-Q101※5，可确保高可靠性。

這兩個系列的新産品從2021年6月開(kāi)始已經全部投入量産（樣品價格：50日元～/個，不含稅）。

今後，ROHM将繼續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體(tǐ)元器件的品質，并繼續加強具有ROHM特色的産品陣容，爲應用産品進一(yī)步實現小(xiǎo)型化和更低功耗貢獻力量。

1. RBR系列

1-1.具有低VF特性，損耗更低

RBR系列不僅保持了與低VF特性存在此消彼長關系的低IR特性，與相同尺寸的ROHM以往産品相比，VF特性降低約25%，損耗更低。因此，不僅非常适用于要求更高效率的車(chē)載充電(diàn)器等車(chē)載設備，還非常适用于要求更節能的筆記本電(diàn)腦等消費(fèi)電(diàn)子設備。

此外(wài)，與同等性能的産品相比，RBR系列還可實現芯片的小(xiǎo)型化，因此受芯片尺寸影響的封裝也可以采用更小(xiǎo)型的封裝形式。例如，如果以往産品尺寸爲3.5mm×1.6mm（PMDU封裝），則通過将其替換爲2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封裝）的産品，可使安裝面積減少約42%。

1-2.新增小(xiǎo)型封裝，産品陣容更豐富

在RBR系列中(zhōng)，此次新增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封裝産品（消費(fèi)電(diàn)子和車(chē)載領域各6款）。至此，該系列已擁有共140款産品的豐富産品陣容（耐壓：30V、40V、60V；電(diàn)流：1A～40A），進一(yī)步擴大(dà)了在車(chē)載設備和消費(fèi)電(diàn)子設備領域的應用範圍。

2. RBQ系列

2-1. 具有低IR特性，可在高溫環境下(xià)穩定工(gōng)作

RBQ系列采用ROHM自有的勢壘形成技術，實現了非常适合開(kāi)關電(diàn)源的VF特性和IR特性之間的平衡。與ROHM以往産品相比，反向功率損耗降低了60%，可進一(yī)步降低高溫環境下(xià)熱失控的風險。因此，該系列産品非常适用于需要在高溫環境中(zhōng)工(gōng)作的汽車(chē)動力系統和工(gōng)業設備用的電(diàn)源等應用。

2-2.新增100V産品，産品陣容更豐富

在RBQ系列中(zhōng)，此次新增了12款100V産品（消費(fèi)電(diàn)子和車(chē)載領域各6款）。至此，包括共陰極型和單芯片型産品在内，該系列已擁有共38款産品的豐富産品陣容（耐壓：45V、65V、100V；電(diàn)流：10A～30A）。

＜支持應用例＞

＜術語解說＞

*1) 肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode：SBD）

利用金屬與和半導體(tǐ)接觸形成肖特基結、從而獲得整流性能（二極管特性）的二極管。沒有少數載流子存儲效應，具有優異的高速特性。

*2) 正向電(diàn)壓： VF（Forward Voltage）

當電(diàn)流沿從＋到－的方向流動時産生(shēng)的電(diàn)壓降。該值越低，效率越高。

*3) 反向電(diàn)流： IR（Reverse Current）

施加反向電(diàn)壓時産生(shēng)的反向電(diàn)流。該值越低，功耗（反向功耗）越小(xiǎo)。

*4) 熱失控

當向二極管施加反向電(diàn)壓時，内部的芯片發熱量超過了封裝的散熱量，導緻IR值增加，終造成損壞的現象稱爲“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發生(shēng)熱失控，因此在設計電(diàn)路時需要格外(wài)注意。

*5) 汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準AEC-Q101

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大(dà)型汽車(chē)制造商(shāng)和大(dà)型電(diàn)子元器件制造商(shāng)聯手制定的針對汽車(chē)電(diàn)子元器件的可靠性标準。Q101是有關分(fēn)立半導體(tǐ)元器件（晶體(tǐ)管、二極管等）的标準。