全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發出符合汽車(chē)電(diàn)子産品可靠性标準AEC-Q101※1的超小(xiǎo)型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”，尺寸僅爲1.0mm×1.0mm。
新産品采用融入ROHM自有工(gōng)藝方法的Wettable Flank成型技術※2，以1.0mm×1.0mm的尺寸，保證了封裝側面電(diàn)極部分(fēn)125μm的高度，屬于業内較高水平。經自動光學檢查（以下(xià)簡稱“AOI”※3），在追求品質的車(chē)載相關設備上安裝重要元器件後會實施該檢查）确認，實現了非常出色的焊接可靠性。另外(wài)，通常小(xiǎo)型化和高散熱性之間存在着矛盾權衡關系，采用底部電(diàn)極結構的新封裝同時兼顧了小(xiǎo)型化與高散熱性，非常适用于電(diàn)路闆高密度化的車(chē)載ECU和高級駕駛輔助系統（ADAS）等相關設備。
新産品已于2020年9月開(kāi)始暫以月産10萬個的規模投入量産（樣品價格：100日元/個，不含稅）。

近年來，随着汽車(chē)電(diàn)子化進程的加速，一(yī)台汽車(chē)中(zhōng)使用的電(diàn)子元器件和半導體(tǐ)元器件數量呈增多趨勢。因此，需要在有限的空間裏安裝更多的元器件，安裝密度越來越高。例如，1個車(chē)載ECU中(zhōng)的半導體(tǐ)和積層陶瓷電(diàn)容器的平均搭載數量，預計到2025年将從2019年的186個※增加至230個※，增加近3成。爲了滿足安裝密度越來越高的車(chē)載應用的需求，市場對小(xiǎo)型化的要求也越來越高，因此能夠兼顧小(xiǎo)型和高散熱性的底部電(diàn)極封裝形式開(kāi)始受到青睐。
另一(yī)方面，對于車(chē)載元器件，爲确保可靠性，雖然會在安裝元器件後實施AOI，但由于底部電(diàn)極封裝隻在底部有電(diàn)極，故無法确認焊接狀态，進行車(chē)載标準的AOI有一(yī)定難度。

※截至2020年9月29日據ROHM調查

新産品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技術，成功解決了這一(yī)課題，并實現了車(chē)載用超小(xiǎo)型MOSFET，得到了越來越多的汽車(chē)領域制造商(shāng)的青睐。未來，不僅在MOSFET領域，ROHM 也會在雙極晶體(tǐ)管和二極管領域的産品陣容進行不斷擴充。

＜特點＞

1. 利用融入ROHM自有工(gōng)藝方法的Wettable Flank成型技術，保證封裝側面電(diàn)極部分(fēn)125μm的高度

采用傳統技術的底部電(diàn)極封裝，因其無法在引線框架側面進行電(diàn)鍍加工(gōng)，無法确保車(chē)載所需的焊料高度，難以實施AOI。新産品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技術， 實現達到引線框架上限的電(diàn)鍍加工(gōng)，以1.0mm×1.0mm的尺寸，保證封裝側面電(diàn)極部分(fēn)高度達125μm。即使是底部電(diàn)極封裝，也可實現穩定的焊接圓角，通過元器件安裝後的AOI可切實确認焊接狀态。

2. 替換爲超小(xiǎo)型、高散熱性的MOSFET，可應對電(diàn)路闆的高密度化

新産品尺寸僅爲1.0mm×1.0mm（DFN1010封裝），卻實現了與2.9mm×2.4mm尺寸（SOT-23封裝）同等的性能，可削減安裝面積達85%左右。不僅如此，通過采用散熱性能優異的底部電(diàn)極，與SOT-23封裝相比，可将通常因體(tǐ)積縮小(xiǎo)而降低的散熱性提高65%。新産品兼顧了小(xiǎo)型化與高散熱性，非常适用于随功能增加，電(diàn)路闆日益高密度化的車(chē)載ECU和ADAS相關設備等應用。