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村(cūn)田 開(kāi)始量産面向汽車(chē)的0.18mm 超薄LW逆轉低ESL片狀多層陶瓷電(diàn)容器(1.0μF)
Time: 2023-10-26 Read: 447




株式會社村(cūn)田制作所(以下(xià)簡稱“村(cūn)田”)已開(kāi)發出面向汽車(chē)ECU(電(diàn)子控制單元)中(zhōng)使用的處理器、超小(xiǎo)(1)(0.5mm×1.0mm)且超薄(2)的LW逆轉低ESL片狀多層陶瓷電(diàn)容器(3)“LLC15SD70E105ME01”(以下(xià)簡稱“本産品”),并于9月開(kāi)始量産。

  • (1)本公司調查結果。截至2023年10月25日。
  • (2)T尺寸标準值:0.16 ± 0.02 mm(厚度爲[敏感詞]0.18 mm)。
  • (3)與普通多層陶瓷電(diàn)容器不同,該電(diàn)容器通過在貼片寬度較窄方向的兩端形成外(wài)部電(diàn)極、縮短電(diàn)極之間的距離(lí)并加寬電(diàn)極寬度來實現低ESL。

近年來,随着ADAS(高級駕駛員(yuán)輔助系統)和無人駕駛的進步,每輛汽車(chē)中(zhōng)配備的處理器數量不斷增加,爲确保其正常工(gōng)作而配備的多層陶瓷電(diàn)容器的數量也在增加。在這種趨勢下(xià),爲了減少面積并提高可靠性,面向汽車(chē)的多層陶瓷電(diàn)容器通過小(xiǎo)型化、大(dà)容量化及低ESL(4)化來改善高頻(pín)特性的需求不斷增加。

  • (4)ESL(Equivalent Series Inductance):等效串聯電(diàn)感。 ESL是電(diàn)容器在高頻(pín)時的主要阻抗成分(fēn),降低電(diàn)容器的ESL有助于改善電(diàn)子電(diàn)路的高頻(pín)特性。

村(cūn)田利用特有的、通過陶瓷及電(diàn)極材料的微粒化、均質化實現的薄層成型技術和高精度層壓技術,在0.5mm x 1.0mm尺寸的LW逆轉低ESL片狀多層陶瓷電(diàn)容器中(zhōng)率先實現了超薄的0.18mm([敏感詞]值)和1.0uF的容量。它比現有産品更薄,因此可以直接安裝在處理器封裝的背面和主電(diàn)路闆上更狹窄的空間中(zhōng),有助于處理器封裝的進一(yī)步小(xiǎo)型化。此外(wài),通過将電(diàn)容器安裝在處理器封裝的背面,電(diàn)容器和處理器晶片之間的距離(lí)比以前的側面配置更近,因此可以進一(yī)步降低阻抗,幫助實現設計高頻(pín)特性更好的電(diàn)路。

普通獨石陶瓷電(diàn)容器(左)與LW逆轉電(diàn)容器(右)的結構

貼裝于處理器封裝背面的示意圖

村(cūn)田今後将繼續緻力于開(kāi)發滿足市場需求的産品、擴大(dà)産品陣容,爲汽車(chē)的高性能化和高功能化做貢獻。

主要規格

産品名稱 LLC15SD70E105ME01
尺寸(L×W×T) 0.5×1.0mm×0.16mm
T尺寸标準值:0.16± 0.02 mm(厚度爲[敏感詞]0.18 mm)
靜電(diàn)容量 1.0μF
靜電(diàn)容量容許誤差 ±20%
工(gōng)作溫度範圍 -55°C~125°C
額定電(diàn)壓 2.5Vdc
其他 符合AEC-Q200(5)
  • (5)Automobile Electronics Council(車(chē)載電(diàn)子元件理事會)制定的面向無源元件(電(diàn)容器、電(diàn)感器等)的行業标準。
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